2025年度 基幹・創造・先進理工学部一般入試（2月16、17日実施）の「英語」および「物理」「化学」のマーク解答問題について、解答を公表いたします。なお、上記科目に加え「数学」「生物」「空間表現」の「試験問題」および「記述解答問題の出題意図」については、6月ごろをめどに公表予定です。
2025年度理工一般 解答（英語）
2025年度理工一般 解答（物理・化学） （3月4日更新）
※ お問い合わせいただいた内容は本学で確認し、必要がある場合は、学術院Webページもしくは入学センターWebページに掲載いたします。個別に回答することはいたしません。
*English version follows Japanese
3/19に配布します。感染拡大防止のため時間を分割しますので、指定の時間帯および教室でお受け取りください。開始直後は混みあいますので、滞留が生じないよう分散して来場するようご配慮ください。
※共同大学院他大学（東京女子医科大学・東京農工大学・東京都市大学）本属学生の方は、専攻の指示に従ってお受け取りください。
※急な体調不良などによる欠席の連絡は不要です。3/19に来られない場合は、4/3の同時間帯・会場で実施する2回目にお受け取りください（3/20～4/2の期間はお渡しできません）。2回とも参加できない場合は、4/4以降、51号館1階教学支援課カウンターにてお受け取りください（事務所が混雑する時間帯はお渡しに時間を要する場合がありますので、極力、所定の日時にお受け取りください。また、郵送はいたしかねます）。
※学生証をまだ受け取っていない方は、教学支援課カウンターで学生証を受け取ってから、裏面シールをお受け取りください（学生証の郵送はいたしかねます）。
※住所変更が生じている方は、以下の手順でご対応ください。
(1)MyWasedaから住所変更を申請(Support Anywhere「各種申請・変更手続き」)
(2)学生証裏面シールを受け取り
(3)51号館1階教学支援課カウンターにて裏面シールを交換
※2025年度より、学生証裏面シールの記載内容・有効期限に変更があります。
詳細は、こちらのページをご確認ください。
※基幹 学系II 4年次以上で、2025年度IPS（北九州キャンパス）の研究室に在籍し、大学の本人登録住所変更の上、北九州キャンパスで研究に従事される方は、3/21（金）までに以下のお手続きを行うことで、4/1（火）以降北九州キャンパス情報生産システム研究科事務所開室時間内（月～金10：00－16：00）に窓口で新住所反映済の裏面シールの受け取りが可能です。
(1)MyWasedaから住所変更を申請する。
(2)申請フォームから北九州キャンパスでの受け取り希望の旨、連絡をする。
※過去に転部・転科・転Majorされた方は、転部・転科・転Majorした年が入学年となります。
例：2024年4月に転部された方 → 2024年度入学者の教室
10:00～16:00 53-403教室 ※卓越PG在籍者は除く
New backside sticker for your student ID card will be distributed on March 19, within the period designated for each school/major. Below schedule is arranged for reducing crowding, thus your cooperation to be at your designated period would be highly appreciated.
【IMPORTANT】Please refer to Student Health Check-up as well.
*For those who transferred school, departments or majors in the past, the year of admission counts as the year of transferred.
Example: Student who transferred in April 2024 → Classroom for Enrollees of 2024.
*It is not necessary to inform us of absences due to sudden illness or other reasons. In case you cannot come to the venue on March 19, please pick it up on April 3. The venue and the time frame for each school/major remain the same as March 19. (You cannot receive new backside sticker from March 20 to April 2.) If you are unable to attend both sessions, please pick up it after April 4 at “Academic and Student Affairs Section at the Center for Science and Engineering” at the 1st floor of the Bldg. 51, Nishi-Waseda Campus (ONLY receive it at counter, no postal service).
*If you have not received your student ID card yet, please pick it up at “Academic and Student Affairs Section at the Center for Science and Engineering” at the 1st floor of the Bldg. 51, Nishi-Waseda Campus before you receive your backside sticker (ONLY receive it at counter, no postal service).
*If you have changed your address, please follow the steps below:
(1) Request a change of address via MyWaseda.( Support Anywhere-Application and Procedures for Changing Informion)
(2) Receive your new backside sticker（at each session at the list below）.
(3) Exchange the sticker at “Academic and Student Affairs Section at the Center for Science and Engineering” at the grand floor of the Bldg. 51, Nishi-Waseda Campus.
※From the 2025 academic year, the information on your backside sticker, validity period etc. will be changed.
Please refer to this page for the details.
12:00-14:00 Math/CSCE Major
14:00-16:00 ME Major
10:00-12:00 CE Major
10:00-12:00 School of Fundamental Science and Engineering
12:00-14:00 School of Creative Science and Engineering
14:00-16:00 School of Advanced Science and Engineering
10:00-12:00 School of Fundamental Science and Engineering
12:00-14:00 School of Creative Science and Engineering
14:00-16:00 School of Advanced Science and Engineering
10:00-12:00 Graduate School of Fundamental Science and Engineering
12:00-14:00 Graduate School of Creative Science and Engineering
14:00-16:00 Graduate School of Advanced Science and Engineering (*Please follow the instruction from the department if there is any.)
10:00-16:00
10:00-16:00
*English version follows Japanese / Major所属の方は下段の英語版案内をご覧ください。
4/1に学生証を配布します。学生証の受け取りは本人に限り、郵送はいたしかねます。学部生は「受験票」、大学院生・科目等履修生・交流学生は「公的身分証明書（運転免許証、パスポート、在留カード）」を必ず持参のうえ、指定の場所・時間帯にお受け取りください。また、開始直後は混みあいますので、滞留が生じないよう分散しての来場にご協力ください。
※定期券は、学生証受け取り後、購入可能です。届出住所の変更を要する場合は、MyWasedaを経由しての届出が承認された後、裏面シールの再発行が必要です（Support Anywhere「各種申請・変更手続き」）。
※急な体調不良などによる欠席の連絡は不要です。やむを得ない事情により受け取れなかった場合に限り、4/2以降、西早稲田キャンパス51号館1階理工学統合事務所教学支援課カウンターにてお渡しします。学部生は「受験票」、大学院生・科目等履修生・交流学生は「公的身分証明書（運転免許証、パスポート、在留カード）」を持参のうえ、事務取扱時間内にお受け取りください（事務所が混雑する時間帯はお渡しに時間を要する場合がありますので、極力、所定の日時にお受け取りください）。
※共同大学院の他大学（東京女子医科大学・東京農工大学・東京都市大学）本属学生の方は、早稲田大学学生証およびWaseda IDを専攻の指示にしたがってお受け取りください。
※Major所属の方は下段の英語版案内をご覧ください
日時：2025年4月1日（火）10:00～14:00
場所：西早稲田キャンパス56号館104教室
日時：2025年4月1日（火）10:00～14:00
場所：西早稲田キャンパス56号館104教室
You can receive your student ID card at the following time and date. The schedule below is arranged to reduce crowding, so your cooperation to be at your designated period would be highly appreciated.
Upon your receipt, you need to double check if all the information (name, date of birth, registered address) is correct. If your address or telephone number etc. in Japan changes after your enrollment, update your information through MyWaseda (“menu”>“profile”). Once you have updated your information, please drop by “Academic and Student Affairs Section at the Center for Science and Engineering” and receive a new backside sticker to put on your Student ID card.
Support Anywhere-Application and Procedures for Changing Information
Note: Please make sure you bring your photo ID on the day.
A photo ID is preferred, but if you don’t have one, an ID without a photo is acceptable.
<Examples>
| ID with a photo | ID without a photo |
|---|---|
| Passport, Residence card and Driver’s license | Health Insurance card |
＊No one else can pick up your student card, no postal service.
Date and Time: April 1, 2025 (Tue) 10:00-14:00
Place: Room 104, Bldg. 56, Nishi-Waseda Campus.
Date and Time: April 1, 2025 (Tue) 10:00-14:00
Place: Room 104, Bldg. 56, Nishi-Waseda Campus.
Date: April 1, 2025 (Tue)
Time and Place: Please refer to the following table.
| Graduate School of Fundamental Science and Engineering |
| Room 401, Bldg. 53 |
| 12:00-14:00 |
| Department of Pure and Applied Mathematics Department of Applied Mechanics and Aerospace Engineering |
| 14:00-16:00 |
| Department of Electronic and Physical Systems Department of Intermedia Studies Department of Computer Science and Communications Engineering Department of Materials Science |
| Graduate School of Creative Science and Engineering |
| Room 204, Bldg. 53 |
| 12:00-14:00 |
| Department of Architecture Department of Modern Mechanical Engineering Department of Industrial and Management Systems Engineering |
| 14:00-16:00 |
| Department of Civil and Environmental Engineering Department of Earth Sciences, Resources and Environmental Engineering Department of Business Design & Management |
| Graduate School of Advanced Science and Engineering |
| Room 301, Bldg. 53 |
| 12:00-14:00 |
| Department of Pure and Applied Physics Department of Chemistry and Biochemistry Department of Applied Chemistry |
| 14:00-16:00 |
| Department of Life Science and Medical Bioscience Department of Integrative Bioscience and Biomedical Engineering Department of Electrical Engineering and Bioscience Department of Nanoscience and Nanoengineering Cooperative Major in Advanced Biomedical Sciences Cooperative Major in Advanced Health Science Cooperative Major in Nuclear Energy Department of Advanced Science and Engineering |
Date and Time: April 1, 2025 (Tue) 10:00-14:00
Place: Room 104, Bldg. 56, Nishi-Waseda Campus.
不透明な物質であっても､高強度レーザー光の励起※1により、まるで物質が存在しないかのように光を透過させることができます｡レーザーのON/OFFを超高速で切り替えれば、その物質の透明・不透明も超高速に切り替えられるでしょうか？さらに、単色光だけではなく、多色光も同時に超高速で透明・不透明に切り替え可能でしょうか？
早稲田大学理工学術院の賈軍軍（じゃ じゅんじゅん）教授、中部大学の山田直臣（やまだ なおおみ）教授、産業技術総合研究所の八木貴志（やぎ たかし）研究グループ長らは、多谷間物質※2Geにパルスレーザーを照射することで、幅広い波長の光に対して透明・不透明を同時かつ超高速に切り替られることを実証しました。この成果は、光信号を物理的に切り替える技術の一つとして、将来のマルチバンド通信や量子コンピュータなど用の超高速光スイッチの開発への応用が期待できます。
本研究成果は、『Physical Review Applied』（論文名：Multivalley Optical Switching in Germanium）にて、2025年2月2４日（現地時間）にオンラインで掲載されました。
図1 光スイッチングデバイスの動作概略図およびその原理
キーワード：
多谷間構造、谷間散乱、光スイッチングデバイス、過渡透過※3、Pauli Blocking Effect
光学材料の屈折率や消衰係数など光学定数は、光の強度が低い場合には一定とみなせます。しかし、光の強度が強くなると、光学定数が光の強度に依存して変化する非線形性が現れます。この非線形光学現象を利用すると、レーザー波長の変換など、通常の光学系では実現できない多彩な光の操作が可能になります。しかし、従来の非線形光学材料は、高強度レーザーなどの照射によりある決められた波長において光学非線形性が発現するのが一般的でした。
一方、半導体材料では、バンドギャプ※4以上の高強度レーザーを用いると、多数の電子が価電子帯から伝導帯※5に高密度に励起され、これらは電子-フォノン散乱によって伝導帯の下部を一時的に占有することができます。この伝導帯の下部における電子の占有(Pauli Blocking効果※6)によって、一時的に光を透過できる状態が生じます。この現象は、直接半導体材料であるInN（窒化インジウム）ですでに観測されており、光の高速スイッチング技術として注目されています。しかし、InNの透明化が起こるのは、近赤外領域のバンドギャプ付近に限られていました。
本研究では、近赤外から可視光領域にわたる幅広い波長帯域で高速に透明化する新たなアプローチを提案し、その実証に成功しました。固体物質の多谷間構造を利用し、パルスレーザーの高密度光励起を用いることで、近赤外から可視光にわたる多色光の透過・不透過が超高速で切り替わることを初めて観測しました。これは、これまで明らかにされていなかった新たな研究成果となります。
一般的に、光が固体物質中の電子を伝導帯に励起すると、電子は超高速で緩和し、その後電子-正孔の再結合などを経て元の状態に戻ります。Geや酸化物のような化学結合の強い物質では、励起後の緩和過程がピコ秒※7以下で起きるため、観測・制御・利用は非常に困難です。本研究では、フェムト秒※7時間スケールでの現象を解析できる計測装置を開発し、透過・不透過の超高速切り替え現象を実験的に解明しました。そのメカニズムは、励起された電子が谷間散乱を経て多谷間に配分され、各谷間に瞬時に滞在することでPauli Blockingが発生します（図１）。これは、電子が伝導帯の空状態を占有することで、光が吸収されず透過する現象です。Geにおいて、この現象により、530 nmと600 nmの可視光と~900 nmの近赤外光が、数百フェムト秒の時間スケールで同時に透過することが確認されました。これは、多波長に対応したスイッチング材料としての実現可能性を示しています。
本研究では、多谷間物質へのフェムト秒パルスレーザー照射により、励起電子の多谷間配分を高精度に制御することで、広帯域の波長に対応した超高速多色光スイッチングデバイスの実現可能性を示しました。
今回の成果は、単に超高速な物理現象の観測・解明にとどまらず、持続可能な高度情報化社会を実現するための基盤技術としても重要な役割を果たすと考えられます。例えば、光通信においてマルチバンド通信や光コンピュータのロジック素子への応用のように情報通信分野において波及効果をもたらすことが期待されています。特に、 多波長でスイッチングできることのメリットは、複数の光信号を時間差で重ねることで、より多くの光信号を伝送可能にする点です。今回の実証物質Geはシリコンフォトニクスとの高い整合性を有しているため、本原理に基づく多色光スイッチングは、シリコンフォトニクスの構成素子の一つとして、より高速なデータ通信やセキュリティの向上に貢献し、増加し続けるインターネットトラフィックの課題解決に寄与することが期待されます。
今回の研究では、多谷間物質を最先端のパルスレーザー技術と融合させ、広帯域の波長に対応した光スイッチング材料の創出を目指して研究を進めました。この成果により、単一波長での光を伝搬する従来の通信方式よりも、広帯域・多波長での受送信が可能となり、光ファイバの伝送容量が大幅に拡大し、大容量・高速データ通信への貢献が期待されます。しかしながら実用化に向けては、既存の光通信波長帯にマッチングする材料の創出などの課題が残されています。今後は、これまでの研究成果を基盤とし、新しい材料設計技術を活用して広帯域対応の多谷間物質を創出し、超高速光スイッチングデバイスの実用を検討していきます。これにより、将来的には光通信や量子コンピュータのへの応用につながることが期待されます。
この研究では、多谷間構造を持つゲルマニウム薄膜において、励起された電子がバンド構造内の複数の谷に超高速で分布することを観測しました。この超高速な物理現象を活用することで、多色光の超高速光スイッチングデバイスの実現に向けた重要な成果が得られました。今後は、多谷間物質を用いて、伝導帯内で電子を超高速に注入する技術をさらに発展し、新たな物理現象の発見とともに、より多くの革新的なデバイス応用の実現が期待されています。
※1 励起
原子や分子が外部からエネルギーを与えられ、エネルギーの低い安定した状態から、より高いエネルギー状態に移ることを指します。
※2 多谷間物質
固体物質の伝導帯の底を谷間と呼び、谷間を一つ以上持つ半導体を多谷間物質といいます。
※3 過渡透過
光が物質を通過する際に、時間とともに変化する透過特性を指します。
※4 バンドギャプ
固体物理において、光（または外部エネルギー源）が電子を価電子帯から伝導帯へ励起するために必要なエネルギー差を指します。
※5 伝導帯
固体物理学における半導体や絶縁体のバンド構造の一部で、電子が自由に移動できるエネルギー範囲のことを指します。光照射や熱などの外部エネルギーにより、電子が価電子帯から伝導帯に励起されることができます。
※6 Pauli Blocking効果
高密度な電子が伝導帯に占有された半導体において、新たな電子はそこに遷移できず、光の吸収がブロックされる現象を指します。
※7 ピコ秒、フェムト秒
1ピコ秒は1秒の1兆分の1、すなわち 10−12 秒、1フェムト秒は1秒の1000兆分の1、すなわち 10−15 秒に相当します。
雑誌名：Physical Review Applied
論文名：Multivalley optical switching in germanium
執筆者名（所属機関名）：Junjun Jia* (Waseda University)、Hossam A. Almossalami (Zhejiang University)、Hui Ye* (Zhejiang University)、Naoomi Yamada (Chubu University)、Takashi Yagi (National Chubu University)
掲載予定日時（現地時間）：2025年2月2４日
掲載URL：https://journals.aps.org/prapplied/abstract/10.1103/PhysRevApplied.23.024060
DOI：https://doi.org/10.1103/PhysRevApplied.23.024060
演題：空間的オミクス解析で解き明かす婦人科癌の新たな世界
日時： 2025年3月13日(木) 16:00-17:40
会場：早稲田大学 西早稲田キャンパス52号館201室
講師：田口 歩
対象：学部生、大学院生、教職員、学外者、一般
参加方法：入場無料、直接会場へお越しください。
主催：先進理工学部 電気・情報生命工学科
問合せ：早稲田大学 理工センター 総務課
TEL：03-5286-3000
演題：規則性ナノ空間材料の魅力と展開
日時： 2025年3月6日(木) 15:30-17:10
会場：早稲田大学 西早稲田キャンパス63号館204,205室
講師：小倉 賢
対象：学部生、大学院生、教職員、学外者、一般
参加方法：入場無料、直接会場へお越しください。
主催：先進理工学部 応用化学科
問合せ：早稲田大学 理工センター 総務課
TEL：03-5286-3000
*English follows Japanese.
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対象地域
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対象キャンパス
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東京都新宿区 または
埼玉県所沢市 |
早稲田キャンパス
戸山キャンパス 西早稲田キャンパス 所沢キャンパス 喜久井町キャンパス 芸術学校 先端生命医科学センター（TWIns） 東伏見キャンパス 上石神井キャンパス（大学設置科目） |
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福岡県北九州市
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北九州キャンパス
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※早稲田大学本庄キャンパス・日本橋キャンパス・エクステンションセンター（早稲田校・中野校）・高等学院・高等学院中学部、本庄高等学院は除きます。
※北九州キャンパスに限り、津波警報が発表された場合も、警報発表時点より同様の扱いとなります。
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City
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Campuses
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Shinjuku-ku, Tokyo or
Tokorozawa-shi, Saitama |
Waseda Campus
Toyama Campus Nishiwaseda Campus Tokorozawa Campus Kikuicho Campus Art and Architecture School Center for Advanced Biomedical Sciences（TWIns） Higashifushimi Campus Kamishakujii Campus （Only University classes） |
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Kitakyushu-shi, Fukuoka
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Kitakyushu
Campus
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*These guidelines do not apply to Honjo Campus, Nihonbashi Campus, Extension Center (Waseda Campus and Nakano Campus), Waseda University Junior and Senior High School, and Honjo High School.
*For the Kitakyushu Campus, classes will also be canceled if a “tsunami warning”（tsunami-keihou) is issued.
日時： 2025年3月4日(火) 16:00-17:40
会場：早稲田大学 各務記念材料技術研究所 42-1-101 (講演室)
講師：Marta Feliz Rodriguez
対象：応化学部生、応化院生、化学院生、ナノ理工院生
参加方法：入場無料、直接会場へお越しください。
主催：先進理工学部 応用化学科
問合せ：早稲田大学 理工センター 総務課
TEL：03-5286-3000
日時： 2025年2月26日(水) 15:30-17:10
会場：早稲田大学 １２１号館４階４０７
講師：Schöning, Michael Josef
対象：学部生、大学院生、教職員、学外者、一般
参加方法：入場無料、直接会場へお越しください。
主催：先進理工学部 応用化学専攻
問合せ：早稲田大学 理工センター 総務課
TEL：03-5286-3000
日時： 2025年2月4日(火) 16:00-17:00
会場：早稲田大学 西早稲田キャンパス54号館101室
講師：Jusef Hassoun
対象：応用化学科大学院生および学部生
参加方法：入場無料、直接会場へお越しください。
主催：先進理工学部 応用化学科
問合せ：早稲田大学 理工センター 総務課
TEL：03-5286-3000
日時： 2025年2月4日(火) 16:00-17:00
会場：早稲田大学 西早稲田キャンパス54号館101室
講師：Jusef Hassoun
対象：応用化学科大学院生および学部生
参加方法：入場無料、直接会場へお越しください。
主催：先進理工学部 応用化学科
問合せ：早稲田大学 理工センター 総務課
TEL：03-5286-3000
日時： 2025年3月7日(金) 15:00-16:40
会場：早稲田大学 55号館S棟610室
講師：Esko I. Kauppinen
対象：学部生、大学院生、教職員、学外者、一般
参加方法：入場無料、直接会場へお越しください。
主催：先進理工学部 応用化学科
問合せ：早稲田大学 理工センター 総務課
TEL：03-5286-3000
日時： 2025年2月13日(木) 16:20-18:00
会場：早稲田大学121号館 コマツ100周年記念ホール
講師：Zhiwei Zuo
対象：学部生、大学院生、教職員、学外者、一般
参加方法：入場無料、直接会場へお越しください。
主催：先進理工学部 応用化学科
問合せ：早稲田大学 理工センター 総務課
TEL：03-5286-3000
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