**ISSCC 2026（米サンフランシスコ）で披露された主な技術概要**

- **AIプロセッサ／アクセラレータ**
- **AMD Instinct MI350**：CDNA‑4 アーキテクチャ採用。6 nm I/O ダイ上に4枚の3 nm 計算ダイをチップレット化し、HBM と同封。前世代比 1.9 倍のピーク性能、帯域幅・容量 1.5 倍。
- **Rebellions（韓国）**：UCIe メッシュ接続で 16 Gbps 超える 4 nm NPU チップレット＋HBM3E／シリコンキャパシタのサブシステム。Llama 3.3（700 億パラメータ）で 56.8 TPS を実現。
- **IBM Spyre**：5 nm 330 mm² ダイに 260億トランジスタ搭載。PCIe カード形態で 32 % 高スループット、エネルギー効率は 2‑3 倍。
- **MediaTek MADiC**：3 nm 製 0.338 mm² ダイで 7.4 TOPS/mm²、17.4 TOPS/W の生成拡散アクセラレータ。エッジ端末向け。
- **NVIDIA ALPhA‑Vision**：16 nm 4.20 mm² ダイ、顔検出遅延 787 µs、消費電力 4.6 mW（60 fps）で 99.3 % 精度。

- **メモリ技術**
- **Sandisk×キオクシア 3D NAND**：記憶密度 37.6 Gbit/mm²、2 Tbit/ダイ、332 層・4 bit/セル。書き込み 85 MB/s、読出しレイテンシ 65 µs。
- **Samsung HBM4**：36 GB（288 Gbit）・転送 3.3 TB/s。第6世代 10 nm コアダイ×12枚＋4 nm ロジックダイで I/O 本数 2,048 本。
- **SK hynix LPDDR6 16 Gbit**：I/O 当たり 14.4 Gbps、1γ 世代ノード採用。低消費電力モード等多数の最適化技術。
- **SK hynix GDDR7 24 Gbit**：I/O 当たり 48 Gbps、ミッドレンジ AI 推論向けに高速クロックパスと RAS 機能搭載。

- **イメージセンサー**
- **STMicroelectronics LiDARレシーバ**：FoV 54°×42°、52×42 チャンネル、60 fps、消費電力 153 mW、測距誤差 <1 cm、測距範囲 9.6 m。
- **Sony Ge‑on‑Si SPAD**：400×300、10 µm ピッチ、30 fps で 26 mW 消費、1300 nm で PDE 5.1 %。
- **Samsung 1200万画素グローバルシャッタ CMOS**：1.5 µm ピッチ、4‑pixel 共有 ADC、FPN 0.65 e‑rms、低ノイズ。
- **SmartSens 2億画素 CMOS**：0.61 µm ピッチ、40 nm＋22 nm 複合ダイ、裏面照射、8K 60 fps、HDR‑合成対応。

- **その他**
- NVIDIA・Microsoft らが招待講演で最新 AI チップのロードマップと実装事例を紹介。

**まとめ**
ISSCC 2026は、AI向け高性能 GPU／アクセラレータ、超高密度 NAND と次世代 HBM/LPDDR6/ GDDR7 メモリ、低消費電力かつ高解像度なイメージセンサーといった、半導体の最前線技術が多数発表された場となった。特にチップレット化や 3 nm/4 nm プロセスの活用が顕著で、計算性能・メモリ帯域・エネルギー効率の大幅向上が示された。

**福田昭のセミコン業界最前線 – ISSCC 2026の概要と半導体ブームの実態**

- **ISSCCとは**
- 世界最大規模・最高水準の半導体集積回路（IC）学会。毎年200件以上の研究成果が発表され、参加者は約3,000人規模。

- **開催情報（2026年）**
- 日程：2月15日〜19日（米国太平洋時間）
- 会場：カリフォルニア州サンフランシスコ・Marriott Marquis（ハイブリッド開催：リアル＋バーチャル）
- テーマ：**「Advancing AI with IC & SOC Innovations」**（AIを中心に据えたIC/SOCの革新）

- **投稿・採択動向**
- 2023年以前は投稿約600件、採択率≈33%が15年続いた。
- 2024年に急増し投稿873件（+39%）→採択率26.8%に低下。
- 2025年は投稿914件、採択率27.2%に微増。
- **2026年は過去最多の1,025件投稿**、採択257件で採択率は25.1%と過去最低。
- 投稿増加は一過性ではなく、半導体ブームが本格化している証拠と見られる。

- **地域別採択状況**
- アジア（日本含む）が全体の約2/3を占め、169件（66%）。
- 米州が51件（20%）、欧州が37件（14%）。

- **分野別採択トップ**
- **RF（高周波）**が14%で2年連続トップ。
- 次いで電力管理12%、メモリ11%、新設メディカル分野6%など。

- **プログラムのハイライト**
- **2月15日（プレイベント）**：チュートリアルでLDO設計、暗号チップ、イメージセンサーなど基礎講座。
- **フォーラム**：
1. 「次世代AI・ロボット向け省エネ回路」
2. 「400Gbps超の電気・光リンク」
- 2月16〜18日：技術講演（プロセッサ、メモリ、ML、無線・有線通信等）
- 2月19日：ポストイベントで電源供給、G6、データ変換等。

- **まとめ**
- 半導体市場は「空前のブーム」期に突入し、ISSCCへの投稿は3年連続で過去最多を更新。
- 採択率の低下は競争激化と研究成果の質向上を示唆。
- アジアが圧倒的に多数を占め、特にRF・電力管理分野が注目されている。
- 2026年テーマの「AIとIC/SOCのイノベーション」は、AI駆動の次世代システム開発が産業全体の鍵になることを示している。