福田昭による記事では、半導体パッケージング技術に関する国際的な学会「ECTC 2026」の開催情報を紹介しています。この学会は5月26日から30日にかけて、フロリダ州オーランドで行われます。主な特徴として、450以上の発表が予定されており、参加者数も2,000人を超えていることが挙げられます。

ハイライト論文では「ハイブリッド接合とヘテロ集積化」分野において、Applied Materialsやキオクシアなどの企業による革新的な技術発表が予定されています。また、「フォトニクスとコパッケージオプティクス」と「アセンブリ技術と製造技術」分野でも注目すべき成果が期待されます。

最後に、これらの技術の重要な役割を果たす半導体業界の大手企業であるTSMCやインテルも注視しており、今後の半導体パッケージング技術の発展に大きな影響を与える可能性があります。

福田昭によるセミコン業界最新情報：SSDはPC向けからエンタープライズ向けへ移行

日本HDD協会が主催した2026年4月オンラインセミナーで、市場動向が解説されました。講師の太田健吾氏（TSR）によると、SSDの出荷台数は2025年に3億7,501万台と過去最高となり、2026年も予測では小幅マイナス成長（-0.9%）となると予想されました。しかしこれはHDDの在庫調整が完了したためで、2024年以降はSSD出荷台数の増加が見込まれる。

2025年のSSD市場ではエンタープライズ用途への需要が高まりました。その結果、エンタープライズ向けSSDの出荷台数と金額は過去最高を更新しました（それぞれ前年比6.2％増、12.6％増）。一方、PC向けは減少傾向にあります。

また、GB当たりの単価は4年ぶりに上昇し、予測では2026年には0.104ドルになると推定されています。これはSSDの主役がPCからエンタープライズ用途へと移行した結果で、全体的な単価を押し上げているからです。

これらの数値は市場動向を反映し、今後の業界展開の指標となるでしょう。

### 福田昭の半導体業界最前線：微細化の限界と発熱の課題

ベルギーの半導体研究開発組織imecは、2020年代から2040年代までの半導体製造技術の進展を示すロードマップを公表した。水平方向の微細化が2010年頃で限界に達し、その代わりに垂直方向や新材料、3D接続などの要素技術による高密度化と高性能化を目指す。

#### 1. 微細化と性能向上
- 水平方向微細化は2010年代後半で遅滞。
- SRAMセル面積の縮小が2012年～2018年前後に鈍化し、その後ほとんど変化なし。

#### 2. 新要素技術の導入
- 垂直方向スケーリングや新材料（ルテニウム）、3D接続技術活用。
- メモリアクセスのボトルネックや電力消費増加などの課題に対処。

#### 3. 技術ノードの進展
- 半導体ロジックの技術ノードは2046年まで継続予想。FET（電界効果トランジスタ）技術はFinFETからnanoシートFET、CFETへと移行予定。
- 2037年以降はCFETの改良品が使用され、2046年には2次元材料を使用したFET（2D FET）が登場予想。

#### 4. 配線技術
- BEOL（Back End Of Line）技術ロードマップ：2025年から2037年の配線技術の改良計画。

#### 5. 次世代電源供給技術
- HPC向け電源供給は今後、ボード内部に統合化定電圧回路（IVR）を埋め込む方向。
- 将来にはパッケージ基板や半導体チップ裏面にもIVRを搭載。

#### 6. 裏面電源配線
- 2028年以降、裏面電源供給網（BS-PDN）技術が注目。熱伝導性の低下に注意が必要。

これらの要素技術とアプローチにより、AI/HPCシステムの性能向上を目指す。

**ISSCC 2026（米サンフランシスコ）での日本発表まとめ**

- 第1著者が日本所属の論文は12件（企業6件・大学6件）で、前年の8件から増加。主要はルネサス、東芝、東京科学大学、ソニーなど。
- **衛星アレイ向けFDD送受信器**（東京科学大学‑マイクロウェーブファクトリー‑インターステラ‑岩手大）: 1.7/1.8 GHz、送信135 mW・受信206 mW、256‑QAM、65 nm製。
- **ソフト定義車両向けチップレット**（ルネサス）: 32 CPU＋32 NPU、APU 2.7 GHz / 1080 kDMIPS、NPU 1.066 GHz / 400 TOPS、UCIe 51.2 GB/s、面積312 mm²。
- **高速AD変換器**（ソニー）: 20 GS/s、8 bit、12 nm FinFET、消費電力135 mW、SN比37 dB。
- **超低消費TCAM**（ルネサス）: 0.167 fJ/ビット、5.27 Mbit/mm²、3 nmプロセス。
- **耐放射線2.4 GHz Wi‑Fi受信器**（東京科学大学‑高エネルギー加速器研究機構）: 500 kGyまで動作。
- **フラクショナルN型PLL**（東京大学）: 6.2‑6.8 GHz、ジッタ157 fs、スプリアス‑73 dBc。
- **9.7 GHz FMCWチャープジェネレータ**（東京科学大学）: スロープ1.56 GHz/µs、誤差0.094 % rms。
- **スマート農業用1 g未満センサータグ**（大阪大学‑神戸‑九州大）: 植物ストレス検出。
- **フルダイナミックΔΣ AD**（旭化成‑オレゴン州立大学）: 95.6 dB DR、FoM 186 dB、65 nm CMOS、校正不要。

日本は衛星通信、車載安全、超高速・低消費電力アナログ/デジタル回路、放射線耐性無線、農業向け軽量センサなど多岐にわたる最先端回路技術を披露し、採択件数は過去最多の千件超えに続く勢いで増加した。

**福田昭のセミコン業界最前線 – ISSCC 2026の概要と半導体ブームの実態**

- **ISSCCとは**
- 世界最大規模・最高水準の半導体集積回路（IC）学会。毎年200件以上の研究成果が発表され、参加者は約3,000人規模。

- **開催情報（2026年）**
- 日程：2月15日〜19日（米国太平洋時間）
- 会場：カリフォルニア州サンフランシスコ・Marriott Marquis（ハイブリッド開催：リアル＋バーチャル）
- テーマ：**「Advancing AI with IC & SOC Innovations」**（AIを中心に据えたIC/SOCの革新）

- **投稿・採択動向**
- 2023年以前は投稿約600件、採択率≈33%が15年続いた。
- 2024年に急増し投稿873件（+39%）→採択率26.8%に低下。
- 2025年は投稿914件、採択率27.2%に微増。
- **2026年は過去最多の1,025件投稿**、採択257件で採択率は25.1%と過去最低。
- 投稿増加は一過性ではなく、半導体ブームが本格化している証拠と見られる。

- **地域別採択状況**
- アジア（日本含む）が全体の約2/3を占め、169件（66%）。
- 米州が51件（20%）、欧州が37件（14%）。

- **分野別採択トップ**
- **RF（高周波）**が14%で2年連続トップ。
- 次いで電力管理12%、メモリ11%、新設メディカル分野6%など。

- **プログラムのハイライト**
- **2月15日（プレイベント）**：チュートリアルでLDO設計、暗号チップ、イメージセンサーなど基礎講座。
- **フォーラム**：
1. 「次世代AI・ロボット向け省エネ回路」
2. 「400Gbps超の電気・光リンク」
- 2月16〜18日：技術講演（プロセッサ、メモリ、ML、無線・有線通信等）
- 2月19日：ポストイベントで電源供給、G6、データ変換等。

- **まとめ**
- 半導体市場は「空前のブーム」期に突入し、ISSCCへの投稿は3年連続で過去最多を更新。
- 採択率の低下は競争激化と研究成果の質向上を示唆。
- アジアが圧倒的に多数を占め、特にRF・電力管理分野が注目されている。
- 2026年テーマの「AIとIC/SOCのイノベーション」は、AI駆動の次世代システム開発が産業全体の鍵になることを示している。