福田昭による半導体業界記事では、Samsung ElectronicsとSK hynixがAIアクセラレータの上に積層した超高速HBMを開発していることが報告されました。

主な内容は以下の通りです：

1. **技術概要**: SamsungとSK hynixは、AIアクセラレータとDRAMを垂直方向に積層する「zHBM」と「3D-Stacked DRAM」を開発中。これによりデータ転送速度の高速化と消費電力の低減を目指しています。

2. **性能向上**: zHBMでは、XPU当たりの最大データ転送速度が4倍から8倍に向上し、消費電力あたりのデータ転送速度も3倍に高まります。また熱抵抗も大幅に改善します。

3. **技術詳細**:
- TSV密度と金属配線層の最適化により、接続距離を短縮しています。
- DRAMダイの積層数を最適化し、スタック高さを低減することで垂直方向の放熱性も向上させています。

4. **SK hynixの提案**: 3D-Stacked DRAMはデータ転送速度がHBMの2倍～10倍で、記憶容量はHBMの13分の1～3分の1。1bitあたりのエネルギー消費も低く、SRAMキャッシュと組み合わせてXPUの性能ギャップを埋めるとしています。

5. **展望**: 目前、両社とも具体的な実装例を公表していないため、今後の展開に期待されています。

この記事は半導体業界における最新の技術動向を紹介し、将来的なメモリソリューションの可能性について述べています。